Toshiba lance des MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 3e génération avec des pertes de commutation réduites

De nouveaux dispositifs en boîtier à 4 broches offrent des performances de commutation améliorées du MOSFET dans les applications industrielles

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé la série TWxxxZxxxC de dix MOSFET en carbure de silicium (SiC) basés sur leur technologie de troisième génération. Ils sont destinés à réduire les pertes dans une grande variété d'applications industrielles, notamment les alimentations à découpage pour les serveurs et les centres de données, les stations de recharge pour véhicules électriques (VE), les onduleurs photovoltaïques (PV) et les alimentations sans interruption (UPS).

Les appareils de la série TWxxxZxxxC sont les premiers produits Toshiba SiC à être logés dans un boîtier TO-247-4L(X) avec une quatrième broche. Cela permet de fournir une connexion Kelvin de la borne source de signal pour le pilote de grille, réduisant ainsi les effets d'inductance parasite du fil source interne et améliorant les performances de commutation à grande vitesse. La comparaison du TW045Z120C avec le TW045N120C existant de Toshiba (TO-247 à 3 broches) montre une amélioration de la perte à l'activation d'environ 40 %, tandis que la perte à la désactivation est améliorée d'environ 34 %.

La nouvelle série TWxxxZxxxC comprend cinq appareils avec une valeur nominale drain-source (VDSS) de 650 V et cinq autres appareils évalués à 1 200 V pour les applications à tension plus élevée. Les valeurs typiques de résistance drain-source (RDS(ON)GD) permettront de faibles pertes, même dans les applications à haute fréquence.

Les appareils sont capables de fournir des courants de drain continus (ID) allant jusqu'à 100 A.

SOURCE:Toshiba